ប្តូរលឿន Thyristor

ការពិពណ៌នា៖

thyristor ប្តូរលឿនដោយមានរចនាសម្ព័ន្ធដូចគ្នានិងនិមិត្តសញ្ញានៃការគ្រប់គ្រងដំណាក់កាល thyristor ខណៈពេលដែលលក្ខណៈឋិតិវន្តល្អប្រសើរជាពិសេសលក្ខណៈថាមវន្តត្រូវបានទាមទារដោយកម្មវិធីប្រេកង់ខ្ពស់នៃ rectification, chopping, Inverter និងសៀគ្វីបម្លែងប្រេកង់។ប៉ារ៉ាម៉ែត្រថាមវន្តនៃ thyristor លឿនគឺល្បឿនបើកលឿន និងល្បឿនពង្រីកការបើក ការគិតថ្លៃត្រលប់មកវិញតិច និងពេលវេលាបិទខ្លី អត្រាកើនឡើងខ្ពស់នៃចរន្តក្នុងស្ថានភាព (di/dt) និងអត្រាសំខាន់នៃ ការកើនឡើងវ៉ុលក្រៅរដ្ឋ (dv/dt) ។ចរន្តដែលបានវាយតម្លៃនៃ thyristor លឿននៅក្នុងប្រេកង់ដែលបានវាយតម្លៃមិនថយចុះឬថយចុះបន្តិចទេនៅពេលដែលប្រេកង់កើនឡើង។

ស្ដង់ដារការផលិត និងបច្ចេកវិជ្ជាកែច្នៃ thyristor ប្តូររហ័សរបស់ RUNAU Electronics ត្រូវបានណែនាំពីសហរដ្ឋអាមេរិកតាំងពីទសវត្សរ៍ឆ្នាំ 1980 ក្នុងនាមជាអ្នកត្រួសត្រាយនៃការផលិត thyristor នៅក្នុងប្រទេសចិន ក្រុមការងារបច្ចេកទេសរបស់ RUNAU បានទទួលចំណេះដឹងដ៏ទំនើប និងបទពិសោធន៍ក្នុងការផលិតដ៏ទូលំទូលាយអស់រយៈពេលជាង 30 ឆ្នាំ។នៅលើមូលដ្ឋាននៃដំណើរការផលិតបែបប្រពៃណី អ្នកបច្ចេកទេសដ៏ប៉ិនប្រសប់នៃក្រុមហ៊ុន RUNAU Electronics បានបង្កើតបច្ចេកវិទ្យាសិល្បៈនៃរដ្ឋក្នុងការផលិត thyristor ជាមួយនឹងលក្ខណៈពិសេសអត្ថប្រយោជន៍នៃផលិតផលអ៊ឺរ៉ុប គុណភាព និងដំណើរការត្រូវបានកែលម្អយ៉ាងខ្លាំង ការឈ្នះកាន់តែច្រើនដែលសម្រេចបាននៅក្នុងកម្មវិធីអេឡិចត្រូនិចថាមពល។ ហើយតម្លៃកាន់តែច្រើនត្រូវបានបង្កើតឡើងសម្រាប់ដៃគូ។

សេចក្តីផ្តើម៖

1. បន្ទះសៀគ្វី

បន្ទះឈីប thyristor ផលិតដោយក្រុមហ៊ុន RUNAU Electronics ត្រូវបានប្រើប្រាស់បច្ចេកវិទ្យា sintered alloying ។ស៊ីលីកុន និងម៉ូលីបដិន wafer ត្រូវបានដុតសម្រាប់លោហៈធាតុដោយអាលុយមីញ៉ូមសុទ្ធ (99.999%) ក្រោមបរិយាកាសទំនេរ និងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់។ការគ្រប់គ្រងលក្ខណៈ sintering គឺជាកត្តាសំខាន់ដែលប៉ះពាល់ដល់គុណភាពនៃ thyristor ។ចំណេះដឹងរបស់ RUNAU Electronics បន្ថែមពីលើការគ្រប់គ្រងជម្រៅប្រសព្វនៃយ៉ាន់ស្ព័រ ភាពរាបស្មើនៃផ្ទៃ បែហោងធ្មែញរបស់យ៉ាន់ស្ព័រ ព្រមទាំងជំនាញនៃការសាយភាយពេញលេញ លំនាំរង្វង់មូល រចនាសម្ព័ន្ធច្រកទ្វារពិសេស។ដំណើរការពិសេសក៏ត្រូវបានប្រើប្រាស់ដើម្បីកាត់បន្ថយអាយុកាលនៃក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនរបស់ឧបករណ៍ ដូច្នេះល្បឿននៃការផ្សំក្រុមហ៊ុនបញ្ជូនខាងក្នុងត្រូវបានពន្លឿនយ៉ាងខ្លាំង បន្ទុកនៃការស្តារឡើងវិញរបស់ឧបករណ៍ត្រូវបានកាត់បន្ថយ ហើយល្បឿនប្តូរត្រូវបានធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងជាលទ្ធផល។ការវាស់វែងបែបនេះត្រូវបានអនុវត្តដើម្បីបង្កើនប្រសិទ្ធភាពនៃលក្ខណៈប្តូររហ័ស លក្ខណៈនៅលើរដ្ឋ និងការកើនឡើងនៃទ្រព្យសម្បត្តិបច្ចុប្បន្ន។ដំណើរការ និងដំណើរការនៃ thyristor គឺអាចទុកចិត្តបាន និងមានប្រសិទ្ធភាព។

2. ស្រោមសំបុត្រ

ដោយការគ្រប់គ្រងយ៉ាងតឹងរឹងនៃភាពរាបស្មើនិងភាពស្របគ្នានៃ molybdenum wafer និងកញ្ចប់ខាងក្រៅ បន្ទះឈីប និង molybdenum wafer នឹងត្រូវបានរួមបញ្ចូលជាមួយនឹងកញ្ចប់ខាងក្រៅយ៉ាងតឹងរ៉ឹង និងពេញលេញ។បែបនេះនឹងបង្កើនប្រសិទ្ធភាពភាពធន់នៃចរន្តកើនឡើង និងចរន្តសៀគ្វីខ្លីខ្ពស់។ហើយការវាស់វែងនៃបច្ចេកវិជ្ជារំហួតអេឡិចត្រុងត្រូវបានគេប្រើប្រាស់ដើម្បីបង្កើតខ្សែភាពយន្តអាលុយមីញ៉ូមក្រាស់នៅលើផ្ទៃស៊ីលីកុន wafer ហើយស្រទាប់ ruthenium ដែលស្រោបលើផ្ទៃ molybdenum នឹងជួយបង្កើនភាពធន់នឹងការអស់កម្លាំងកម្ដៅយ៉ាងខ្លាំង អាយុកាលការងាររបស់ thyristor ប្តូរលឿននឹងត្រូវបានកើនឡើងយ៉ាងខ្លាំង។

ភាព​ជាក់លាក់​ខាង​បច្ចេកទេស

1. thyristor ប្តូរលឿនជាមួយបន្ទះឈីបប្រភេទ alloy ផលិតដោយ RUNAU Electronics, range of I_TAVពី 200A ដល់ 4000A និង V_DRM/V_RRMពី 1200V ទៅ 4500V ។
2. I_GT, វ_GTហើយខ្ញុំ_Hគឺជាតម្លៃតេស្តនៅ 25 ℃ លើកលែងតែមានការបញ្ជាក់ផ្សេងពីនេះ ប៉ារ៉ាម៉ែត្រផ្សេងទៀតទាំងអស់គឺជាតម្លៃតេស្តក្រោម T_jm;
3. I²t = ខ្ញុំ²F SM ×tw/2, tw= ទទឹងមូលដ្ឋានបច្ចុប្បន្នរលកពាក់កណ្តាល sinusoidal ។នៅ 50Hz, I²t = 0.005I²FSM(A²ស);
4. នៅ 60Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms) × 1.066, ត_j=T_j;I²t(8.3ms)=I²t(10ms) × 0.943, T_j=T_jm

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ៖