Phase Control Thyristor (ប្រភេទ Alloying)

ការពិពណ៌នា៖

Thyristor ដែលត្រូវបានគេស្គាល់ផងដែរថាជា Silicon Control Rectifier (SCR) គឺជាឧបករណ៍ semiconductor ដែលមានថាមពលខ្ពស់ដែលមានរចនាសម្ព័ន្ធ PN ចំនួនបី។នៅក្នុងលក្ខខណ្ឌនៃការអនុវត្ត thyristor មិនត្រឹមតែមាន conductivity unidirectional ប៉ុណ្ណោះទេប៉ុន្តែថែមទាំងមានការគ្រប់គ្រងដ៏មានតម្លៃជាងធាតុ rectifier ស៊ីលីកុនដែលមានតែពីរនៃ conduction និង off-state ដើម្បីគ្រប់គ្រងថាមពលធំជាមួយនឹងថាមពលតូច ការពង្រីកថាមពលរហូតដល់រាប់រយឬ រាប់ពាន់ដង។ប្រតិកម្មគឺលឿនណាស់ បើក និងបិទក្នុងរយៈពេលមីក្រូវិនាទី។ប្រតិបត្តិការមិនទំនាក់ទំនង គ្មានផ្កាភ្លើង គ្មានសំលេងរំខាន ខណៈពេលដែលប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់ និងតម្លៃទាប។ដូច្នេះជាពិសេសនៅក្នុងប្រព័ន្ធផ្គត់ផ្គង់ថាមពលខ្ពស់ thyristor ត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងសៀគ្វី rectifier, static bypass switch, contact-free output switch និងសៀគ្វីផ្សេងទៀត។

ស្តង់ដារផលិតកម្ម និងបច្ចេកវិទ្យាកែច្នៃ thyristor របស់ RUNAU Electronics ត្រូវបានណែនាំពីសហរដ្ឋអាមេរិកតាំងពីទសវត្សរ៍ឆ្នាំ 1980 ក្នុងនាមជាអ្នកត្រួសត្រាយផ្លូវនៃការផលិត thyristor នៅក្នុងប្រទេសចិន ក្រុមការងារបច្ចេកទេសរបស់ RUNAU បានទទួលនូវចំណេះដឹងដ៏ទំនើប និងបទពិសោធន៍ក្នុងការផលិតដ៏ទូលំទូលាយអស់រយៈពេលជាង 30 ឆ្នាំ។នៅលើមូលដ្ឋាននៃដំណើរការផលិតបែបប្រពៃណី អ្នកបច្ចេកទេសដ៏ប៉ិនប្រសប់នៃក្រុមហ៊ុន RUNAU Electronics បានបង្កើតបច្ចេកវិទ្យាសិល្បៈនៃរដ្ឋក្នុងការផលិត thyristor ជាមួយនឹងលក្ខណៈពិសេសអត្ថប្រយោជន៍នៃផលិតផលអ៊ឺរ៉ុប គុណភាព និងដំណើរការត្រូវបានធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងយ៉ាងខ្លាំង ការឈ្នះកាន់តែច្រើនដែលសម្រេចបាននៅក្នុងការអនុវត្តថាមពលអេឡិចត្រូនិច។ វាល និងតម្លៃកាន់តែច្រើនត្រូវបានបង្កើតឡើងសម្រាប់ដៃគូ។

សេចក្តីផ្តើម៖

1. បន្ទះសៀគ្វី

បន្ទះឈីប thyristor ផលិតដោយក្រុមហ៊ុន RUNAU Electronics ត្រូវបានប្រើប្រាស់បច្ចេកវិទ្យា sintered alloying ។ស៊ីលីកុន និងម៉ូលីបដិន wafer ត្រូវបានដុតសម្រាប់លោហៈធាតុដោយអាលុយមីញ៉ូមសុទ្ធ (99.999%) ក្រោមបរិយាកាសទំនេរ និងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់។ការគ្រប់គ្រងលក្ខណៈ sintering គឺជាកត្តាសំខាន់ដែលប៉ះពាល់ដល់គុណភាពនៃ thyristor ។ចំណេះដឹងរបស់ RUNAU Electronics បន្ថែមពីលើការគ្រប់គ្រងជម្រៅប្រសព្វនៃយ៉ាន់ស្ព័រ ភាពរាបស្មើនៃផ្ទៃ បែហោងធ្មែញរបស់យ៉ាន់ស្ព័រ ព្រមទាំងជំនាញនៃការសាយភាយពេញលេញ ច្រកទ្វារកណ្តាល លំនាំរង្វង់រង្វង់ត្រូវបានគេអនុវត្ត ដើម្បីបើកដំណើរការប្រតិបត្តិការដែលអាចទុកចិត្តបាន និងប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់នៃ thyristor ដើម្បី ធានានូវការអនុវត្តគុណភាពខ្ពស់។

2. ស្រោមសំបុត្រ

ដោយការគ្រប់គ្រងយ៉ាងតឹងរឹងនៃភាពរាបស្មើនិងភាពស្របគ្នានៃ molybdenum wafer និងកញ្ចប់ខាងក្រៅ បន្ទះឈីប និង molybdenum wafer នឹងត្រូវបានរួមបញ្ចូលជាមួយនឹងកញ្ចប់ខាងក្រៅយ៉ាងតឹងរ៉ឹង និងពេញលេញ។បែបនេះនឹងបង្កើនប្រសិទ្ធភាពភាពធន់នៃចរន្តកើនឡើង និងចរន្តសៀគ្វីខ្លីខ្ពស់។ហើយការវាស់វែងនៃបច្ចេកវិជ្ជារំហួតអេឡិចត្រុងត្រូវបានប្រើប្រាស់ដើម្បីបង្កើតខ្សែភាពយន្តអាលុយមីញ៉ូមក្រាស់នៅលើផ្ទៃស៊ីលីកុន wafer ហើយស្រទាប់ ruthenium ដែលស្រោបលើផ្ទៃ molybdenum នឹងជួយបង្កើនភាពធន់នឹងកម្ដៅយ៉ាងខ្លាំង អាយុកាលការងាររបស់ thyristor នឹងត្រូវបានកើនឡើងយ៉ាងខ្លាំង។

ភាព​ជាក់លាក់​ខាង​បច្ចេកទេស

1. thyristor គ្រប់គ្រងដំណាក់កាលជាមួយបន្ទះឈីបប្រភេទ alloy ផលិតដោយ RUNAU Electronics, range of I_TAVពី 300A ដល់ 6000A និង V_DRM/V_RRMពី 800V ទៅ 4400V ។
2. I_GT, វ_GTហើយខ្ញុំ_Hគឺជាតម្លៃតេស្តនៅ 25 ℃ លើកលែងតែមានការបញ្ជាក់ផ្សេងពីនេះ ប៉ារ៉ាម៉ែត្រផ្សេងទៀតទាំងអស់គឺជាតម្លៃតេស្តក្រោម T_jm;
3. I²t = ខ្ញុំ²F SM ×tw/2, tw= ទទឹងមូលដ្ឋានបច្ចុប្បន្នរលកពាក់កណ្តាល sinusoidal ។នៅ 50Hz, I²t = 0.005I²FSM(A²ស);
4. នៅ 60Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms) × 1.066, ត_j=T_j;I²t(8.3ms)=I²t(10ms) × 0.943, T_j=T_jm

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ៖